Закрыть
Закрыть
  • Реферат
  • Курсовая
  • Дипломная
  • Контрольная
  • Отчет
  • Доклад
  • Учебник
  • Шпаргалка
  • Эссе
  • Монография
  • Главная
  • Физика
  • Методы напыления тонких пленок, приенение установки ВУП-5

Написание работы на заказ

* * *
*
Укажите дату
*
Еще один
* Укажите Ваш email
+ * Укажите номер телефона

Оформление заявки бесплатно и ни к чему Вас не обязывает

Курсовая:
Тема:

Методы напыления тонких пленок, приенение установки ВУП-5

Предмет:

Физика

Страниц: 18
Автор: Игорь
Цена:
1640  руб.
Образцы для исследования в просвечивающем электронном микроскопе могут быть приготовлены как непосредственно из материала исследуемого объекта, так и из материала, отличного от материала объекта. В первом случае анализ электроннограмм и дифракционного контраста на изображении дает непосредственную информацию о кристаллической структуре объекта. Тонкие образцы для таких исследований готовятся с помощью следующих методик:
получение тонких срезов на ультрамикротоме;
утончение объектов химической полировкой или ионной бомбардировкой;
напыление пленок термическое испарение, катодное распыление, газотранспортные реакции и т.д.
разбрызгивание и высушивание (для порошков и суспензий).
Тонкие пленки представляют собой слой какого-либо материала толщиной от 10 до 10000А. Они различаются по своим физическим и химическим свойствам: эпитаксиальные монокристаллические и аморфные, проводящие и диэлектрические, органические и неорганические. Под эпитаксиальной пленкой обычно понимают монокристаллический слой, выращенный на монокристаллической подложке с которой он имеет определенное кристаллографическое соответствие. Эпитаксиальные монокристаллические пленки обычно содержат дефекты, такие, как дислокации, дефекты упаковки, двойники и субструктуры. Когда верхний слой того же состава, что и подложка, его называют гомоэпитаксиальным, если же верхний слой другого состава, то он называется гетероэпитаксиальным. Аморфные тонкие пленки обладают либо структурой типа беспорядочной сетки, либо беспорядочной плотноупакованной структурой.
В данной работе будет рассмотрен метод напыления тонких пленок термическим испарением на установке ВУП-5.
Содержание

Введение 2

Термическое (вакуумное) напыление 3

Катодное напыление 5

Ионная бомбардировка 7

Ионно-плазменное напыление 9

Анодирование 11

Электрохимическое осаждение 12

ВУП-5, технические характеристики 13

Трансмиссионная электронная микроскопия 15

Заключение 17

Литература 1
1. Технология тонких пленок. Справочник, под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ., т. 1-2, М., 1977;
2. Плазменная металлизация в вакууме, Минск, 1983;
3. Черняев В.Н., Технология производства интегральных микросхем и микроциклоров, 2 изд., М., 1987;
4. Волков С. С., Гирш В. И., Склеивание и напыление пластмасс, М., 1988;
5. Коледов Л. А., Технология и конструкция микросхем, микроциклоров и микросборок, М., 1989. Л. А. Коледов.
6. Шиммель Г., Методика электронной микроскопии, пер. с нем., М., 1972
Курсовая защищена на отлично.

Тема работы
Стоимость
Страниц
Тип
ВУЗ, город
Заказать
549 руб.
25
Реферат
Москва
Заказать
549 руб.
11
Реферат
Москва
Заказать
549 руб.
27
Реферат
ЮРГТУ (Новочеркасск)
Заказать
549 руб.
8
Реферат
Каменский филиал ЮРГТУ (Каменск-Шахтинский)
Заказать
На нашей странице вы можете купить работу "Методы напыления тонких пленок, приенение установки ВУП-5". Все наши работы проверены и получили оценки не ниже отлично.